計測条件：　
■サンプル：半導体
■対物レンズ：100×(NA:0.95)、ズーム：2×、計測視野：70×70μｍ
■XY分解能：500×500pixel、Z計測分解能：0.3μｍ、Z測定幅：32μｍ

層構造内部の凹凸計測：　 　たとえば半導体パターンの上面に透明な膜がある場合、その膜下のパターンの計測が必要になることがあります。右にその一例を示します。図のように膜の外形を表示することや、あるいは測定条件を調節すると、透明な膜下にある四角の凹凸パターンが表示されます。光学顕微鏡下で透かしてみていたパターンを、レーザプローブで膜下の凹凸計測することで、その寸法形状を断面プロフィールなどから正確に把握します。
図1　層構造における外層膜の外形
図2　膜内のパターン
図3　膜の外形	図4　膜内のパターン